Mærkning og kropsmærkning af SI2399DS-T1-GE3 kan leveres efter ordre.
På lager: 52376
Vi lagrer distributør af SI2399DS-T1-GE3 med meget konkurrencedygtig pris.Tjek SI2399DS-T1-GE3 nyeste pirce, inventar og ledetid nu ved hjælp af den hurtige RFQ -formular.Vores forpligtelse til kvalitet og ægthed af SI2399DS-T1-GE3 er urokkelig, og vi har implementeret strenge kvalitetsinspektions- og leveringsprocesser for at sikre integriteten af SI2399DS-T1-GE3.Du kan også finde SI2399DS-T1-GE3 -datablad her.
Standard emballage integrerede kredsløbskomponenter SI2399DS-T1-GE3
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max) | ±12V |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 5.1A, 10V |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andre navne | SI2399DS-T1-GE3-ND SI2399DS-T1-GE3TR |
Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Blyfri Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 835pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
FET Type | P-Channel |
FET-funktion | - |
Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS) | 20V |
Detaljeret beskrivelse | P-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |